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冻结围护是利用人工制冷技术,使地层中的水结冰,将天然土层变成冻土作为围护挡土止水的新技术。依据冻结基本原理,在大型锚碇深基础中采用排桩内支撑结构并结合冻结帷幕止水是一种新的基坑围护形式,含水土层冻结后形成的冻结帷幕具有良好的封水性能,冻土墙刚度和强度较原土层有很大的提高且质量易于控制。相对于常规围护工程,冻结围护结构的冻胀力学特性复杂且研究资料贫乏,因此,其力学性状的研究将进一步完善冻结围护技术理论,保障基础工程顺利安全进行。通过对锚碇基础围护工程冻结帷幕温度场-应力场耦合的三维非线性数值模拟分析研究,得到冻结围护工程中冻结帷幕的冻胀力学性状特征,结合大型锚碇基础冻结围护工程实例的现场测试成果分析,验证数值模拟分析方法结果的合理性以及冻结围护技术的可靠性,研究成果将为今后冻结围护技术的工程推广应用提供理论基础。 相似文献
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在地震层析成像计算的地幔密度异常直接驱动地幔对流的新方法的基础上,发展了在上、下地幔不同黏性结构框架下,密度异常驱动地幔对流的物理模型.利用 Grands和S12 WM13等地震层析成像模型推得的地幔密度异常分布,设置板块绝对运动极型场为运动上边界,考虑深度660km地震波不连续面为界的上、下地幔之间存在黏滞性的差异,直接反演了不同黏滞系数的双层地幔结构下地幔对流的模式.研究中选取地幔平均密度为ρ=5500kg/m3, 上层地幔平均黏滞系数为μ=1021Pa·s,计算了上、下地幔黏滞系数之比为1∶1, 1∶10, 1∶100和1∶1000时地幔大圆剖面、以及区域剖面上的流场.结果表明,两种模型在球谐展开1~13阶的范围内其对流的基本格局相似.当下地幔黏滞性超过上地幔的100倍时,下地幔流场速度与上地幔的流场速度相比显著减小,但是对流仍然表现出单层对流环的基本格局.论文还用 240km深度球面上的对流格局讨论了对流和全球构造之间的关系. 相似文献
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为研究斑节对虾(Penaeus monodon)4个地理群体的遗传背景,作者应用AFLP分子标记技术对非洲(F)、中国三亚(S)、泰国(T)和印度尼西亚(Y)的斑节对虾群体进行遗传多样性分析。选取8对引物组合对斑节对虾4个群体共128个个体进行分析比较,共获得1 000个位点,其中多态性位点数为830个,各群体多态位点比率为47.8%~58.5%;群体Nei’s遗传多样性指数为0.0917~0.1271,Shannon’s信息指数为0.1484~0.2032。4个群体间的遗传距离,Y与F之间最大,为0.331,T与S之间最小,为0.217。4个群体UPGMA聚类时,S、T与Y聚为一支,F为单独一支;128个个体的UPGMA聚类结果表明,F群体除4个个体外其余个体聚为一大支,S、T、Y群体的部分个体互相混杂。AMOVA分析发现,35.92%的变异来自于群体间,64.08%的变异来自于群体内,群体间的遗传分化系数为0.3592,表明4个群体间的遗传分化程度很大。本研究为斑节对虾遗传育种提供了种质遗传背景资料,并为斑节对虾资源的开发与利用提供基础数据。 相似文献
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2种东风螺软体部和生殖腺脂肪酸组成研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用气相色谱-质谱(GC-MS)联用技术测定了野生台湾东风螺(Babylonia formosae),方斑东风螺(Babylonia areolata)及养殖方斑东风螺软体部和生殖腺脂肪酸组成及其含量.结果表明,2种贝软体部和生殖腺的15种主要脂肪酸中,不饱和脂肪酸(UFA)含量较饱和脂肪酸(SFA)含量高.野生台湾东风螺、方斑东风螺及养殖方斑东风螺软体部的UFA质量分数分别为68.22%、67.23%和76.05%: 其软体部SFA质量分数分别为28.16%,28.23%和21.53%.多不饱和脂肪酸(PUFA)质量分数高,n-3PUFA和n-6PUFA质量分数占总脂肪酸的39.20%~64.53%,其中二十碳五烯酸(EPA)和二十二碳六烯酸(DHA)质量分数占总脂肪酸的13.82%~34.22%,养殖方斑东风螺的质量分数最高.研究发现,2种东风螺,特别是养殖的小型方斑东风螺,不仅具有较高的营养价值,且是EPA和DHA理想的提取原料. 相似文献
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综合分析了前人对青藏高原岩石层构造和动力学研究的成果,提出印度板块和欧亚板块会聚、大陆碰撞及大陆形变的基本特征为青藏高原地壳的加厚和地壳缩短,地壳物质的横向流动;青藏高原隆升过程呈现出阶段性、多样性和复杂性;组成青藏高原的各块体可能有不同的主导隆升机制.认识到在板块构造理论所揭示的全球构造格局中,青藏高原不仅仅是印度板块和欧亚板块会聚、碰撞以及大陆形变的结果,它也是青藏高原大陆岩石层和下伏地幔物质运动的相互耦合、相互作用的结果.从地幔动力学的角度出发讨论了青藏高原隆升的断离险升-挤压隆升-对流隆升三阶段模式(BCCM),结合数值模拟的结果分析了与此模式相对应的该区域岩石层构造、运动的地幔深部物质运移和动力学背景. 相似文献
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This paper reports that the 4H-SiC Schottky barrier diode, PiN diode and junction barrier Schottky diode terminated by field guard rings are designed, fabricated and characterised. The measurements for forward and reverse characteristics have been done, and by comparison with each other, it shows that junction barrier Schottky diode has a lower reverse current density than that of the Schottky barrier diode and a higher forward drop than that of the PiN diode. High-temperature annealing is presented in this paper as well to figure out an optimised processing. The barrier height of 0.79 eV is formed with Ti in this work, the forward drop for the Schottky diode is 2.1 V, with an ideality factor of 3.2, and junction barrier Schottky diode with blocking voltage higher than 400 V was achieved by using field guard ring termination. 相似文献