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991.
极区顶部电离层离子上行-DMSP卫星观测   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
霍亮  马淑英  周云良  党戈 《极地研究》2006,18(2):98-107
本文利用DMSP卫星离子漂移速度测量数据,对高纬顶部电离层离子整体上行进行研究,主要考察平静时和磁暴期间离子上行强度与发生率随MLT(晨昏两侧)分布规律的变化;以及磁暴期间强的离子上行与等离子体对流及其剪切之间的关系。研究发现,磁暴期间强上行事件的发生率比平静期高近2倍,发生率的晨昏不对称性出现逆转,由平静时昏侧发生率较大变为磁暴期间晨侧发生率较大;磁暴期间晨侧离子上行速度的分布向速度高端加权,平均速度大于昏侧,最大上行速度远大于昏侧;强的离子上行往往与强对流剪切或强对流本身相伴随。  相似文献   
992.
在0、5、10、15、20、25和30这7个盐度下比较研究了初始体重分别为(3.55±0.03)g陆封型虹鳟(Oncorhynchus mykiss)和(3.57±0.07)g溯河型硬头鳟(Oncorhynchus mykiss)的渗透压生理及能量平衡。40天的研究显示:(1)随盐度的升高虹鳟和硬头鳟的血清渗透压和离子浓度均升高,且S30组的数值显著高于其余各组(P<0.05);在S15、S20、S25和S30组,虹鳟血清渗透压、离子浓度均显著高于硬头鳟(P<0.05)。(2)虹鳟和硬头鳟分别在S5和S10组的Na+-K+-ATP酶(NKA)和Ca2+-Mg2+-ATP酶(CMA)活性最低;在S10、S15、S20、S25和S30组,虹鳟的NKA和CMA均显著高于硬头鳟(P<0.05)。(3)虹鳟和硬头鳟分别在S5和S10组的肌肉和鳃组织ATP含量最高;在S10、S15、S20和S25组,硬头鳟ATP均显著高于虹鳟(P<0.05)。(4)虹鳟和硬头鳟分别在S5和S10组的肌肉和鳃组织AMP/ATP和ADP/ATP最低,在S10、S15、S20、S25和S30组,虹鳟AMP/ATP和ADP/ATP均显著高于硬头鳟(P<0.05)。研究结果表明,3.6g左右硬头鳟渗透调节能力强于虹鳟,经过逐渐驯化它们最适生长盐度分别为10和5。  相似文献   
993.
全球锂资源综合评述   总被引:4,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
苏彤  郭敏  刘忠  李权 《盐湖研究》2019,27(3):104-111
发展高效清洁能源是解决能源和环境问题的有效途径,交通电力化和能源储存使全球对锂产品的需求持续快速增加,导致全球对锂资源越来越关注。然而,不同文献报道和不同信息来源的全球锂资源量差别较大,我们在对各种最新报道和公开的信息进行系统分析的基础上,对全球锂资源进行了综合评述。全球卤水锂和矿石锂资源总量为3 190~5 190万吨(以金属锂计),卤水锂和矿石锂分别约占62.6%和37.4%,全球70%以上的卤水锂资源在智利、阿根廷、玻利维亚锂三角地区。以卤水为原料生产锂盐能耗低、成本低,对卤水锂资源会越来越关注,卤水提锂将成为未来锂资源提取的重要方向。  相似文献   
994.
正极材料是制造锂离子电池的关键材料之一,占据电池成本的25%以上,在锂离子电池中占据核心地位。该文对锂离子正极材料进行专利信息的挖掘和数据分析,通过专利申请趋势、布局、企业专利实力对锂离子正极材料的技术专利展开分析,总结了锂离子正极材料技术的发展、企业专利实力与保护情况。同时对主要用于动力型锂离子电池中的锰酸锂正极材料进行了申请态势、竞争格局、实力排查以及技术主题和技术功效的分析,可为相关研发人员及企业开发外围专利或改进专利提供思路。  相似文献   
995.
文章简要介绍了氢氧化锂的性质、应用以及锂资源现状,重点论述了氢氧化锂的生产工艺及其研究进展,分析了各种制备工艺的优劣及应用特点,指出了氢氧化锂制备工艺未来发展趋势。  相似文献   
996.
997.
青海盐湖资源丰富,在盐湖提锂过程中副产了大量含锂Mg(OH)2镁渣,由于利用条件和工艺的限制,其大部分被企业堆置放弃,造成资源的严重浪费和生态环境的破坏,因此提锂副产镁渣的高值化利用具有重要的意义.本研究仅采用盐湖提锂副产镁渣和可溶性铝盐作为原料,采用水热法成功制备了SO2-和CO32-插层的镁基层状复合金属氢氧化物(...  相似文献   
998.
Snow samples collected from a 50 m firn core and two snow pits along the route of the 1996/1997 Chinese First Antarctic Inland Traverse Expedition in Princess Elizabeth Land, East Antarctica, have been analyzed for chemical composition and oxygen isotope ratio. Analyzing the relationship between the concentration and flux of major ions and accumulation rate can draw the following conclusions. 1 ) The concentrations of major ions in the atmosphere in the study region is big enough so that the concentrations of the ions do not vary with snow accumulation rate, that is to say, the concentrations of major chemical species are independent of snow accumulation rate. 2) The results of analyzing the depositional styles of major chemical species suggest that wet deposition dominates the major ions flux. In addition, there is no apparent correlation between nssSO2-4 fluctuations and isotope profile. This would indicate the short-term climatic effect of volcanism is not evident in the region.  相似文献   
999.
The erbium ions at energy of 400 keV and dose of 5×1015 ions/cm2 were implanted into silicon single crystals at room temperature at the angles of 0°, 45°and 60°. The lateral spread of 400 keV erbium ions implanted in silicon sample was measured by the Rutherford backscattering technique. The results show that the measured values were in good agreement with those obtained from the prediction of TRIM'98 (Transport of Ions in Matter) and SRIM2006 (Stopping and Range of Ions in Matter) codes.  相似文献   
1000.
An experimental study on the photocarrier radiometry signals of As+ ion implanted silicon wafers before and after rapid thermal annealing is performed. The dependences of photocarrier radiometry amplitude on ion implantation dose (1×1011--1×1016/cm2), implantation energy (20--140 keV) and subsequent isochronical annealing temperature (500--1100 du are investigated. The results show that photocarrier radiometry signals are greatly enhanced for implanted samples annealed at high temperature, especially for those with a high implantation dose. The reduced surface recombination rate resulting from a high built-in electric field generated by annealing-activated impurities in the pn junction is believed to be responsible for the photocarrier radiometry signal enhancement. Photocarrier radiometry is contactless and can therefore be used as an effective in-line tool for the thermal annealing process monitoring of the ion-implanted wafers in semiconductor industries.  相似文献   
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