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原子层沉积(ALD)是下一代超大规模集成电路的首选工艺,但是Cu籽晶层在阻挡层上的团聚限制了ALD工艺在半导体工业中的应用.目前对Cu在阻挡层TaN表面的团聚机理和行为还缺乏足够的理论认识,为此利用第一性原理密度泛函理论(DFT)对不同覆盖度下Cu原子在TaN(111)表面的吸附能和电荷转移进行了研究,结果显示,Cu在TaN(111)表面的吸附强度随着Cu覆盖度的增加而减弱.利用从头算分子动力学模拟了500K温度下Cu单分子层在TaN(111)表面的吸附动力学行为,结果表明,在这一典型的ALD温度下,Cu层在TaN(111)表面发生团聚,与实验中的观察结果相符. 相似文献
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第一原理计算过渡金属掺杂尖晶石型LiMn2O4的电子结构 总被引：1，自引：0，他引：1
尽管对过渡金属掺杂锰酸锂后放电平台的升高现象有众多实验研究,但对其机理的研究却鲜见报道.采用第一原理的密度泛函理论,计算了过渡金属M(M=Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn)掺杂尖晶石型LiMn2O4的电子结构,并以此分析放电平台的升高机理.电子态密度分析发现由于M-3d能带的诱导作用,出现了新的O-2p能带,而锂脱出时获得的电子,主要是由费米能级附近O-2p能带提供的.当过渡金属M由Ti变化到Zn时,M-3d能带逐渐向低能量的方向移动,新的O-2p能带出现的位置也随之下移,当Li脱出时,需要更多的能量才能从低能量的O-2p能带上获得电子,因而体系能够获得较高的嵌入电压. 相似文献
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“界面质量守恒方程和一些生长层的自组织模型”一文建立了一个二组分结晶系统普适形式的动力学偏微分方程组，本文主要讨论这一偏微分方程组的稳定性，鉴于该稳定性没有现存的判别方法，构造了一个与其相关的常微分方程组，并证明了可以通过分析此常微分方程组的稳定性来判别原偏微分方程互助珠性。 相似文献
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对二组分非理想系统的结晶动力学模型中参数的物理化学意义的分析研究表明，岩石矿物中一大类振荡分带构造起因于低共结系统的自组织过程，这些分带构造包括各种球状岩，岩浆岩韵律体层理，云母环带，大多数条纹长石，玛瑙环带，粘土矿物和稀土矿物中结构单元层的混层等等。 相似文献
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This study,based on the physico-chemistry principle,establishes the mathematics model of the genesis of plagioclase osicllatory zoning,based on the crystal grouth principle ,the plagioclase crystallization velocity equation has been put forward.This equation has such a feedback character as “superasturation-nucleation-depletion cycle“ .Small-scale oscillatory zoning is attributable to self-organization,and has no bearing on environmental factors,Its genesis is corresponding to a relatively static environment. 相似文献
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本文根据熔体聚合模型和正规溶液模型,建立了非平衡条件下,在二组分硅酸盐熔体固结过程中的非平衡非理想界面反应的非线性动力学模型:对上式进行数值模拟表明,当W/RT<-2时,有三重态,并通过建立界面状态(组成)的质量守恒方程,合理地说明了硅酸盐固溶体矿物韵律结构形成的可能机理之一,寻找界面反应三重态是研究固溶体矿物韵律结构的一条相当普遍的途径。 相似文献
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