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1.
为了探究光背团水虱的食性特征,本研究利用碳、氮稳定同位素技术于2015年冬季和2016年夏季对广西北海廉州湾红树林中光背团水虱及其食物来源的碳、氮稳定同位素比值(δ13C值和δ15N值)进行分析。结果显示,冬季和夏季光背团水虱的δ13C值大小范围为-22.85‰~-21.87‰,平均值为(-22.46±0.35)‰;δ15N值大小范围为11.02‰~12.85‰,平均值为(11.88±0.56)‰;光背团水虱的δ13C值、δ15N值变化范围较小,表明其食物来源较为简单。单因素方差分析结果显示,冬季与夏季光背团水虱的平均δ13C值差异不显著(P>0.05),而夏季的δ15N值普遍高于冬季δ15N值,差异显著(P<0.05);不同生长阶段的光背团水虱δ13C值、δ15N值会随着体长的增长而增大,差异显著(P<0.05),表明光背团水虱在生长的过程中可能发生了食性转变。光背团水虱的δ13C值与浮游生物的δ13C值相近,而与红树植物δ13C值差距较远,说明光背团水虱主要以浮游生物为食物来源。基于R语言稳定同位素混合模型(SIAR)计算结果显示,冬季和夏季各粒径级别浮游生物对不同生长阶段的光背团水虱的贡献率趋势基本一致,表现为1.2~25 μm粒级的浮游生物对光背团水虱平均贡献率最高,其次为25~50 μm粒级,粒径大于100 μm的浮游生物对体长小于5.5 mm的光背团水虱贡献率较低,对体长大于5.5 mm的光背团水虱的贡献率随着体长增大而相应增大,说明不同生长阶段的光背团水虱食性有差异。对光背团水虱食性分析的结果可为深入研究团水虱爆发的原因及危害红树林的作用机理提供基础资料。 相似文献
2.
为探讨主塔横梁对无背索斜拉桥结构的静动力特性影响,以某无背索斜拉桥为原型,采用三维静\,动力有限元计算方法,分析了实心横梁、大空心横梁、小空心横梁与无横梁四种主塔横梁方案的静、动力结构特性。静力计算结果表明:在最不利荷载作用下,四种对比方案中,实心横梁的拉索应力接近安全系数临界值;横梁重量越大,主梁挠度及主塔顺桥向变形值越小,且未设置横梁的方案在长期荷载作用下产生主跨侧的收缩徐变变形值。动力计算结果表明:大空心横梁方案结构横桥向刚度最大塔底轴力最大、横桥向弯矩值最大;无横梁时横桥向剪力最大,且无横梁方案使得主塔刚度较小,阵型易出现主塔横向失稳。综合考虑结构静、动力特性与施工便利性和后期维护,建议该结构采用实心主塔横梁。 相似文献
3.
目的:观察血府逐瘀汤加减联合背俞穴拔罐治疗轻中型颅脑损伤的临床疗效。方法:将63例轻中型颅脑损伤患者随机分为治疗组32例与对照组31例,对照组采用西医常规治疗,治疗组在对照组治疗的基础上联合应用血府逐瘀汤加减和背俞穴拔罐治疗,采用简明精神状态量表(MMSE)评定认知能力,改良Barthel指数(BI)评定日常生活活动能力。结果:总有效率治疗组为96.9%,对照组为87.1%,组间比较,差异有统计学意义(P<0.05);2组MMSE、Barthel指数总评分治疗前后组内比较及治疗后组间比较,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:血府逐瘀汤加减联合背俞穴拔罐法能有效改善轻中型颅脑损伤患者临床症征、认知能力,提高日常生活活动能力。 相似文献
4.
地热资源是一种绿色低碳、极具竞争力的可再生能源。江西省会昌县坝背地区断裂构造密集,地热异常广泛发育。为了查明勘查区各断裂构造的产状、规模及深部变化特征,为寻找地热水钻孔布置提供依据,项目组首先在已知温泉位置布置3条高密度试验测线,接着在已知温泉位置以南布置4条高密度测线,然后在高密度电阻率法资料初步解释成果的基础上再施工可控源音频大地电磁测深法(CSAMT),得出其中两条深大断裂是温泉主要的导水导热构造、断裂深切至基底界面、基底界面起伏明显的结论。同时圈定了4个低阻异常区,其中低阻异常范围最大的区域长约1000 m,宽约240 m,高约200 m,是含水最为有利区域,亦是寻找地热水的直接依据,建议在其正上方布设钻孔进行验证,孔深约800 m,满足深大断裂和基底对低阻区的深度控制。 相似文献
6.
7.
8.
杜留波 《资源导刊(河南)》2012,(4)
3月16日一大早,三门峡市湖滨区高庙乡国土资源所所长张敬民刚到所里,手机突然“叫”了起来。
“小杜、老吴、老王,快,出事了,跟我走,小景留下来值班。”张所长挂了电话急匆匆地说。
“所长,出什么事了,这么着急?”我一边发动巡查车一边问。 相似文献
9.
《东北石油大学学报》2017,(1)
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响。仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制。在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化。实验结果表明,25nm厚BOX的FDSOI器件比145nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50%,DIBL减小近20%。 相似文献
10.