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研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A／D转换器，这种转换器采用二步分区式结构，包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC。在BiCMOS工艺基础上，根据A／D转换器的工作原理、结构特点设计出比较器电路，残差放大器。最后对设计的比较器和残差放大器电路进行仿真，得出比较器瞬态响应突变时间为600ns，残差放大器建立时间为1．5μs、放大增益约为2dB，其性能指标超出了同类器件。 相似文献
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