排序方式： 共有4条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
This paper deduces the expression of the Schottky contact capacitance of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), which will help to understand the electron depleting process. Some material parameters related with capacitance--voltage profiling are given in the expression. Detailed analysis of the forward-biased capacitance has been carried on. The gate capacitance of undoped AlGaN/AlN/GaN HEMT will fall under forward bias. If a rising profile is obviously observed, the donor-like impurity or trap is possibly introduced in the barrier. 相似文献
2.
基于100 nm硅基氮化镓（GaN）工艺，本文设计并实现了一款工作频段为20~26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器（VGLNA）.该放大器采用三级共源级级联来实现高增益，并通过调节第二、第三级的栅极偏置实现增益控制.测试结果表明，该放大器在工作频段内实现了超过20 dB的增益可变范围和±1.5 dB的增益平坦度，在增益可变范围内功耗为126 mW至413 mW.在最大增益状态下，该放大器在整个频段内可实现大于20 dB的小信号增益且噪声系数（NF）为2.95 dB至3.5 dB，平均输出1dB压缩点（OP1dB）约为14.5 dBm.该芯片的面积为2 mm2. 相似文献
3.
本文研究了一种基于100 nm氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷（SPDT）开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构，通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显示，在24~30 GHz的5G毫米波频段内以及0/-5 V的控制电压下，该开关的插入损耗低于1.5 dB，隔离度优于28 dB，输入功率1 dB压缩点大于27 dBm.测试结果能够很好地验证仿真结果. 相似文献
4.
高电子迁移率晶体管(HEMT)目前被广泛应用于高灵敏度(低噪声)射电天文接收机中. 在低温制冷环境下,其低噪声性能更佳,但对偏置供电系统要求很高,只有在特定的偏置条件下才能得到最佳的低噪声、高增益、高稳定性.本文提供了一套可调试、高稳定、高可靠性、带远程监控功能的可供多级低温制冷HEMT管的偏置电源的设计思路、方法和制作,使在低温制冷状态下的HEMT管能够稳定、安全、可靠地工作在最佳状态. 相似文献
1