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| 聚噻吩插层有机蒙脱土导电复合材料的制备及其修饰 | |
| 摘 要： | 实验采用Fe~(3+)-H_2O_2催化氧化体系,以水为介质,十二烷基苯磺酸钠(十二烷基苯磺酸钠)为乳化剂,室温下制备聚噻吩(PTP)有机蒙脱土(OMMT)复合材料。当有机蒙脱土/聚噻吩=2g/ml时,反应时间为12 h,制得复合材料电导率最高,其值为3.44×10~(-5)S/cm;在Fe~(3+)-H_2O_2和过硫酸铵(APS)两种氧化体系下,分别采用苯胺(ANI)和吡咯(PY)对聚噻吩-有机蒙脱土进行修饰,制得聚苯胺-(聚噻吩-有机蒙脱土)和聚吡咯-(聚噻吩-有机蒙脱土)复合材料的电导率均达到10~(-2)S/cm~10~(-1)S/cm,较未修饰时提高了10~3倍~10~4倍。傅里叶红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)表明噻吩(TP)进入有机蒙脱土层间聚合,形成插层复合,经苯胺和吡咯修饰后,插层结构没有被破坏;重分析(TG)则证实复合后材料热稳定性得到提高,500℃时失重在11.69%左右,但经修饰后材料的热稳定性有所降低500℃时失重达到80%以上。扫描电镜(SEM)表明在Fe~(3+)-H_2O_2氧化体系下,经修饰后材料形貌更规整,且均为球形。 |
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