| 基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关 |
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| 引用本文： | 张艺,张志浩,章国豪.基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关[J].南京气象学院学报,2021,13(4):450-454. |
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| 作者姓名： | 张艺 张志浩 章国豪 |
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| 作者单位： | 广东工业大学 信息工程学院, 广州, 510006,广东工业大学 信息工程学院, 广州, 510006,广东工业大学 信息工程学院, 广州, 510006 |
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| 基金项目： | 广东省重点领域研发计划（2018B010115001） |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构，每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成，并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理，可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15 μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷（SPDT）开关芯片，整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明，在23~30 GHz频率范围内，该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB，隔离度大于23 dB，输入输出回波损耗均大于10 dB.
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| 关 键 词： | 毫米波 单刀双掷开关 GaAs pHEMT 低插入损耗 |
| 收稿时间： | 2021/3/3 0:00:00 |
Millimeter-wave broadband low-loss single-pole double-throw switch based on a GaAs pHEMT technology |
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| ZHANG Yi,ZHANG Zhihao and ZHANG Guohao.Millimeter-wave broadband low-loss single-pole double-throw switch based on a GaAs pHEMT technology[J].Journal of Nanjing Institute of Meteorology,2021,13(4):450-454. |
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| Authors: | ZHANG Yi ZHANG Zhihao and ZHANG Guohao |
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| Institution: | School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006,School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006 and School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | millimeter-wave SPDT switch GaAs pHEMT low insertion loss |
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