| 1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长 |
| |
| 引用本文： | 段子刚,黄晓东,周宁,徐光辉,柴广跃.1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长[J].海洋学报,2010,32(9):6193-6199. |
| |
| 作者姓名： | 段子刚 黄晓东 周宁 徐光辉 柴广跃 |
| |
| 作者单位： | 教育部广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳大学,深圳 518060;光讯科技有限公司,武汉 430074;光讯科技有限公司,武汉 430074;教育部广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳大学,深圳 518060;教育部广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳大学,深圳 518060 |
| |
| 基金项目： | 国家国际科技合作计划(批准号: 2008DFA11010)资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 基于器件模拟仿真,设计了一种1.5 μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构. 其多量子阱有源区置于基区非对称波导中. 仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制. 对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化. 通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018 cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散. 所获得的外延材料在
|
| 关 键 词： | 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化 |
|
| 点击此处可从《海洋学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《海洋学报》下载免费的PDF全文 |
|
