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| CCD的近红外敏化技术 | |
| 引用本文： | 宋谦,季凯帆.CCD的近红外敏化技术[J].云南天文台台刊,1999(4):60-66. |
| 作者姓名： | 宋谦 季凯帆 |
| 摘 要： | 理论上硅ＣＣＤ在０．１ｎｍ到１．１μｍ之间都有响应，但通常此种器件在８００ｎｍ以后量子效率下降明显，一般会小于５０％，其中最主要的原因是近红外光子的吸收深度大于ＣＣＤ的外延层厚度，使大量光子穿透整个器件。显然增加外延层的厚度是解决这一问题的良好途径，但随着外延层的增加，必须使用高阻抗的材料，否则会明显的减低分辨率，另外增透膜的使用也会使量子效率大幅度提高，而且有效的减弱了干涉条纹的影响，新型Ｐ沟道 |
| 关 键 词： | CCD 量子效率 近红外敏化技术 探测器 |
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