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| PIN结构GaN基α粒子探测器的设计 | |
| 引用本文： | 黄河,朱志甫,王仁波,魏雄,彭新村,邹继军.PIN结构GaN基α粒子探测器的设计[J].华东地质学院学报,2014(2). |
| 作者姓名： | 黄河 朱志甫 王仁波 魏雄 彭新村 邹继军 |
| 作者单位： | 东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心;东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心; |
| 基金项目： | 核技术应用教育部工程研究中心资助项目(HJSJYB2010-16);国家自然科学基金项目(11265001);江西省自然科学基金重点项目(20133ACB20005);江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ14501) |
| 摘 要： | 根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真241Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中I层的厚度,优化设计了GaN基α粒子探测器的PIN结构,为MOCVD技术制备PIN结构GaN基α粒子探测器提供了理论依据和实验参考数据。 |
| 关 键 词： | GaN PIN α粒子 射程 |
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