| In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律 |
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| 引用本文： | 周龙,李涵,苏贤礼,唐新峰.In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律[J].海洋学报,2010,32(10):7219-7224. |
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| 作者姓名： | 周龙 李涵 苏贤礼 唐新峰 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB607501)、国家自然科学基金重点项目(批准号:50731006)和国家111计划(批准号:B07040)资助的课题. |
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| 摘 要： | 用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同 In含量的InxCo4Sb12(x=0.1—0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米InSb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800 K时,In
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| 关 键 词： | InSb CoSb3 热电性能 |
Effects of In doping on crystal structure and thermoelectric properties of n-type skutterudites |
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| Zhou Long,Li Han,Su Xian-Li and Tang Xin-Feng.Effects of In doping on crystal structure and thermoelectric properties of n-type skutterudites[J].Acta Oceanologica Sinica (in Chinese),2010,32(10):7219-7224. |
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| Authors: | Zhou Long Li Han Su Xian-Li and Tang Xin-Feng |
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| Institution: | State Key Laboratory of Advanced Technology for Material Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China;State Key Laboratory of Advanced Technology for Material Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China;State Key Laboratory of Advanced Technology for Material Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China;State Key Laboratory of Advanced Technology for Material Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb CoSb3 thermoelectric properties |
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