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| 碳纳米管场发射阴极制备技术的最新进展 | |
| 引用本文： | 邢晓曼,代秋声.碳纳米管场发射阴极制备技术的最新进展[J].CT理论与应用研究,2013(1):181-194. |
| 作者姓名： | 邢晓曼 代秋声 |
| 作者单位： | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
| 基金项目： | 国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ040082);国家科技支撑计划(2012BAI13B00) |
| 摘 要： | 碳纳米管拥有理想场发射材料的诸多特性,但是目前碳纳米冷阴极制备技术尚存在不可控性和不稳定性,仅在平面显示,电子显微镜针尖和小剂量X射线管方面有商业产品推出。本文介绍了CNT作为场发射电子源在高电场和高电流密度应用中的研究进展,对场发射阴极最新制造技术进行了比较,并对场发射机制进行深入探讨。针对制约其电流发射特性和使用寿命的技术难题,对各种应对方案进行比较分析。在这些方案的基础之上对制备技术进一步优化,很可能解决应用瓶颈,推动CNT场发射阴极的广泛应用。 |
| 关 键 词： | 碳纳米管 场发射阴极 大电流 |
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