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| La3+ 离子掺杂钨酸铅单晶的微结构缺陷 | |
| 引用本文： | 黄彦林,赵韧,赵连泽,朱文亮.La3+ 离子掺杂钨酸铅单晶的微结构缺陷[J].矿物学报,2006,26(1):84-88. |
| 作者姓名： | 黄彦林 赵韧 赵连泽 朱文亮 |
| 作者单位： | 1. 苏州大学,材料工程学院,江苏,苏州,215021 2. 南京大学,地球科学系,江苏,南京,210093 3. Department of Materials,Kyoto Institute of Technology,606-8585,Kyoto,Japan |
| 摘 要： | 钨酸铅晶体是一种非化学计量化合物,缺陷丰富,蕴含着利用掺杂产生新效应和开发新功能的广泛可能性。探讨了不同浓度La3 掺杂对于钨酸铅晶体发光性能的影响,如热释光、X射线激发发光、光致发光等。La3 掺杂有效地抑制了陷阱中心,使发光受到强烈的抑制,在高浓度掺杂的钨酸铅中,激发机制有所改变,通过XPS测试的结果分析了不同浓度La3 掺杂机制。低浓度掺杂中,La3 取代Pb2 ,形成缺陷复合体2(La3Pb ).-(VPb)″];高浓度掺杂晶体中,La3 离子不但占据Pb2 位置,而且也会占据W6 位置(La3W ),产生La3 的自补偿机制,形成La3 的自补偿对(La3W )-(La3Pb ).]-(VO)..或缺陷聚集体3(LaP3b ).-(La3W )]。 |
| 关 键 词： | 晶体生长 钨酸铅 缺陷 掺杂 发光光谱 |
| 文章编号： | 1000-4734（2006）01-0084-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-03 |
| 修稿时间： | 2005年7月3日 |
STUDIES OF MICROSTRUCTURES AND DEFECTS IN La3+ IONS-DOPED LEAD TUNGSTATE SINGLE CRYSTALS |
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| HUANG Yan-lin,ZHAO Ren,ZHAO Lian-ze,ZHU Wen-liang.STUDIES OF MICROSTRUCTURES AND DEFECTS IN La3+ IONS-DOPED LEAD TUNGSTATE SINGLE CRYSTALS[J].Acta Mineralogica Sinica,2006,26(1):84-88. | |
| Authors: | HUANG Yan-lin ZHAO Ren ZHAO Lian-ze ZHU Wen-liang |
| Institution: | 1.School of Material Engineering,Soochow University,Suzhou 215021,China;2.Department of Geological Sciences,Nanjing University,Nanjing 210093,China;3.Department of Materials, Kyoto Institute of Technology, 606- 8585, Kyoto, Japan |
| Abstract: | |
| Keywords: | PbWO_(4) defect doping mechanism luminescence spectra |
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