| γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)与高岭石层间表面羟基的嫁接反应机理 |
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| 引用本文： | 杨淑勤,袁鹏,何宏平,刘冬,覃宗华,朱建喜.γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)与高岭石层间表面羟基的嫁接反应机理[J].矿物学报,2012,32(4):468-474. |
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| 作者姓名： | 杨淑勤 袁鹏 何宏平 刘冬 覃宗华 朱建喜 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院矿物学与成矿学重点实验室广州地球化学研究所,广东广州510640 中国科学院研究生院,北京100049
2. 中国科学院矿物学与成矿学重点实验室广州地球化学研究所,广东广州,510640 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对不同有序度高岭石的层间表面羟基进行嫁接反应。应用XRD、FTIR、热分析、元素分析等表征手段对产物进行分析。结果表明:高岭石经过二甲基亚砜(DMSO)预插层后,可与APTES反应得到嫁接产物。在相同反应温度下,由于不同有序度高岭石中的DMSO插层分子脱嵌速率不同,导致嫁接产物在嫁接程度上具有明显差异:有序度高,其嫁接程度高;反之,则嫁接程度低。
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| 关 键 词： | 高岭石 有序度 有机硅烷 嫁接 |
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