首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 375 毫秒
1.
通过对细粒天然磁铁矿的穆斯堡尔谱研究和对华北冀东油田第三系砂岩样品的磁性载体成分、成因、剩磁稳定性和特征剩磁方向的研究,探讨了烃类的化学吸附作用与岩石剩磁稳定性之间的关系,烃类的化学吸附作用能够降低岩石的剩磁稳定性,因此,可能会导致产生次生剩磁。这一认识为客观全面地了解各种次生剩磁的成因、研究重磁化现象的时空分布规律,进而为探索新的磁清洗方法和应用岩石磁学方法研究含油气地层的地质问题提供了新的思路  相似文献   

2.
烃类的化学吸附作用对岩石剩磁稳定性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对细粒天然磁铁矿的穆斯堡尔谱研究和对华北冀东油田第三系砂岩样品的磁性载体成分,成因,剩磁稳定性和特征剩磁方向的研究,探讨了烃类的化学吸附作用与岩石剩磁稳定性之间的关系,烃类的化学吸附作用能够降低岩石的剩磁稳定性,因此,可能会导致产生次生剩磁,这一认识的客观全面地了解了各种次生剩磁的成因,研究重磁化现象的时空分布规律,进而为探索新的滋清洗方法和应用岩石磁学方法研究含油气地层的地质问题提供了新的思  相似文献   

3.
用于环境研究的磁性参数简介   总被引:5,自引:0,他引:5  
曲赞 《地质科技情报》1994,13(2):98-100
根据体积磁化率,饱和等温剩磁,剩磁矫顽力,非磁滞剩磁四种主要磁性参数的特征,分别阐述了它们在环境研究中的作用及解决的问题,并介绍了近年来国外在这方面的实际应用结果。  相似文献   

4.
皮亚曼背斜两翼下二叠统原生剩磁的同褶皱检验结果表明原生剩磁主要是同沉积剩磁,其结果显示,皮亚曼背斜开始发育的时间不晚于早二叠世。从东邻杜瓦地区采集的下二叠统古地磁样品,对测试统计结果经同褶皱检验后得出同样的结论。  相似文献   

5.
在磁法勘探工作中,往往要大量测定岩矿标本的磁性。以往对岩矿标本的磁化率和剩磁只作一般性的了解,以供磁异常推断解释参考,而很少考虑剩磁在地层、构造等力面所反映的特征和规律。剩磁,特别是它的方向,在某种程度上是地质时代特征的一种可靠标志。因此,有目的地测定剩磁方向,有助于揭示地质构造运动的历史过程等某些地质问题。  相似文献   

6.
本文根据柴达木地块中上侏罗统砂岩和犁地块寒武、奥陶系灰岩中的磁黄铁矿的剩磁研究,指出了磁黄铁矿的剩磁稳定与否在于磁黄铁矿的成因差异。了解磁黄铁矿的剩磁稳定性,对于确定硫化矿床的矿化年代,解释磁异常以及确定某些地质构造问题和具有重要意义。  相似文献   

7.
在解释磁异常时,需要大量测定岩石的磁性,但对岩石磁性的复杂性及其能够解决地质问题的能力往往认识不足.假如不仅测定岩石的感磁和剩磁,而且还研究剩磁的性质,那就可以对热、化学和动力等剩磁异常进行分类,进而提高阐明某些地质现象的能力.  相似文献   

8.
土壤磁性用于油气勘查的一个研究实例   总被引:1,自引:0,他引:1  
孙爱秋 《物探与化探》1998,22(6):436-439
廊坊—固安研究区内两条剖面上的已知油藏上方土壤的磁化率、天然剩磁强度、Q值的异常特征不易辨认。对油田上方土壤样品进行交变退磁清洗后,其剩磁的构成具有明显的特殊性,区别于非油藏上方土壤剩磁的构成。利用这一特点,寻找油气藏效果较好。  相似文献   

9.
尹济云 《云南地质》1992,11(1):39-46
在古地磁研究中,次生剩磁往往被作为“有害组分”而剔出。本文为了说明次生剩磁的利用。笔者采用了多种方法,对云南不同时代地层的1238个古地磁样品作了较详细的研究。结果表明,云南曾遭受过多期重磁化作用,其中全新世和始新世时期的重磁化影响面最大。始新世产生的与印度次大陆同欧亚大陆的碰撞有关。本成果为了对云南的古地磁次生与原生剩磁的辩别提供依据,也为次生剩磁的应用开拓新的途径。  相似文献   

10.
岩石的磁性     
众所周知,能准确地测定地磁三要素的历史,距今尚不足150年.因而,从观测到的地磁场资料来研究周期大于100年的地磁现象是根本不可能的.然而,利用古地磁学却能对以100年或更长时间为周期的地磁现象进行解析,这是因为古地磁学可利用岩石具有天然剩磁(NRM)——磁场“化石”这一性质.显然,为确保“化石”的纯洁性,所利用的NRM资料必须不为漫长岁月中的各种外界干扰(例如:变质、风化及雷击等)所混淆,这就促进了以研究岩石剩磁的性质及稳定性为主的地学分支——岩石磁学在蓬勃发展.显然,岩石磁学就是古地磁学的基础.本文仅就其中最基本的研究成果,分岩石中的铁磁性矿物、铁磁性矿物的氧化过程、热剩磁、化学剩磁和沉积剩磁以及剩磁的稳定性和退磁方法等五部分综述如下.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号