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Ding-ding Du Cheng-jun Zhang Muhammad Saleem Mughal Xiao-yu Wang Dembele Blaise Jun-ping Gao Yuan Ma Xin-rong Luo 《山地科学学报》2018,15(3):532-547
The Northern Qaidam Basin is located at the northeastern part of the Qinghai-Tibetan Plateau. It contains very thick Cenozoic terrestrial clastic sediments, which records the formation of the northern Qaidam Basin due to compressional deformation during the Indo-Asian collision. In this paper, we used detrital apatite fission-track thermochronology, including 4 sandstones and 2 conglomerates samples from the Lulehe section, to reveal the Cenozoic evolution of the northern Qaidam Basin. Fission-track dating indicated the source region of the Lulehe section has experienced important cooling and uplifting in the Late Cretaceous (at ~85.1 Ma and ~65 Ma) and the Eocene (~52 Ma), respectively. The AFT age distribution on the section suggested that the provenance of Lulehe section sediments were mainly derived from the south Qilian Shan (Qilian Mountains) and Altun Shan (Altun Mountains), and two significantly provenance changes may occur at 43.4-46.1 Ma and ~37.8 Ma, respectively. The results may have strong constrains on the Cenozoic deformation and tectonic evolution of the northern Qaidam Basin and Qinghai-Tibet Plateau. 相似文献
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利用Monte Carlo (MC)模拟技术研究了非均一的吸附原子与基底相互作用能在一定的生长条件下对超薄膜生长过程的影响.非均一相互作用能是由基底表面原子在垂直和水平方向上实际位置与理想晶格原子位置的偏差所造成.本文用高斯分布来表示这种非均一相互作用能.模拟结果表明:非均一相互作用能对超薄膜的生长过程及薄膜的形貌有显著的影响.这种影响同时受到生长条件的限制,在中等温度时相互作用能的非均一性对岛的个数、平均大小的影响最显著;温度的增加在一定程度上可抵御相互作用能的非均一性对薄膜生长的影响. 相似文献
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利用Nd:YAG纳秒激光(波长为532和355 nm)对单晶硅在真空中进行了累积脉冲辐照,研究了表面微结构的演化情况.在激光辐照的初始阶段,532和355 nm激光脉冲均在硅表面诱导出了波纹结构,后者辐照硅表面后形成了近似同心但稍显混乱的环形波纹结构.随着脉冲数的增加,波纹结构逐渐演化为一种类似珠形的凹凸结构,最后形成准规则排列的微米量级锥形结构,该微结构的生长依赖于表面张力波和结构自组织.分析发现,形成的交叉环形结构主要是在355 nm激光辐照硅的过程中,表面张力波导致波纹结构部分叠加的结果. 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了Ga和Sb纳米线的电子能带结构和声子结构以及电子-声子耦合(EPC)作用.通过对声子的完整Brillouin区分析来研究纳米线的结构稳定性.结果表明,所考察的纳米线显示出不稳定性,不稳定声子波矢远离Brillouin区中心.与通常的Peierls变形机理相比,不稳定的横向声子模会导致一种无开口带隙的相变.Sb比Ga纳米线的EPC要强很多,并且横向变形导致的锯齿形结构使纳米线中的电子-声子相互作用增加了几个数量级. 相似文献
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This paper deduces the expression of the Schottky contact capacitance of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), which will help to understand the electron depleting process. Some material parameters related with capacitance--voltage profiling are given in the expression. Detailed analysis of the forward-biased capacitance has been carried on. The gate capacitance of undoped AlGaN/AlN/GaN HEMT will fall under forward bias. If a rising profile is obviously observed, the donor-like impurity or trap is possibly introduced in the barrier. 相似文献
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This paper studies the average fidelity of teleportation and thermal entanglement for a two-qubit Heisenberg XYZ chain in the presence of both an inhomogeneous magnetic field and a Dzyaloshinski--Moriya interaction. It shows that for a fixed Dz, the increase of bz will broaden the critical temperature at the cost of decreasing the thermal entanglement. And it can modulate the inhomogeneous magnetic field and the Dzyaloshinski--Moriya interaction for the average fidelity of teleportation to be optimal. 相似文献