首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   46篇
  免费   14篇
  国内免费   4篇
测绘学   8篇
大气科学   3篇
地球物理   25篇
地质学   20篇
海洋学   4篇
综合类   3篇
自然地理   1篇
  2023年   4篇
  2022年   3篇
  2021年   4篇
  2019年   4篇
  2018年   2篇
  2017年   2篇
  2016年   4篇
  2014年   3篇
  2013年   2篇
  2012年   6篇
  2011年   5篇
  2010年   4篇
  2009年   3篇
  2008年   6篇
  2007年   5篇
  2006年   3篇
  2005年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   1篇
  1954年   1篇
排序方式: 共有64条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
江西相山火山盆地发育我国第一大、世界第三大火山岩型铀矿田,盆地盖层主要为早白垩世流纹英安岩和碎斑熔岩,这两套火山岩亦是研究区内主要的赋矿岩石,与铀多金属矿化有关的垂向蚀变幅度达千米。近年来,相山铀矿田地质勘查取得了令人瞩目的进展,然而对于矿床的成因及产状等方面仍存在争论,部分原因在于,对流纹英安岩和碎斑熔岩的火山机构研究不够深入。通过对相山矿田的遥感地质解译、碎斑熔岩流动构造测量、磁化率各向异性(AMS)及大地电磁测量(MT)等研究,获得火山通道位置。相山火山盆地流动构造不发育,根据火山集块岩、熔岩中出露的变质岩捕掳体及其长轴统计,结合AMS数据,指示鹅湖岭期碎斑熔岩主火山口位于相山顶,河元背、严坑、柏昌和如意亭为4个次级火山口,而书塘地区可能是打鼓顶期流纹英安岩的火山通道所在。这些推测的火山口在遥感影像上得到环形、放射状构造的印证。相山火山盆地19条MT剖面显示:盆地基底变质岩系与上覆火山岩盖层之间呈连续的水平低阻异常带,不整合界面清晰;打鼓顶组火山岩呈似层状产出,主要分布于盆地西部,并在河元背-船坑-杏树下一带识别出近东西走向的厚层流纹英安岩凹槽;鹅湖岭组火山岩总体呈蘑菇状,中心位置(相山主峰)发育自下而上贯通式的低阻异常,推测为鹅湖岭组碎斑熔岩喷发的通道相(火山颈相)。综合研究表明,相山地区打鼓顶期主要火山通道位于相山顶或其西侧书塘地区,可能存在河元背次级岩浆通道;鹅湖岭期火山活动主岩浆通道位于相山顶,次岩浆通道位于河元背、阳家山、严坑和柏昌,岩浆通道具有继承性和发展性。  相似文献   
62.
用接收函数叠加技术研究滇西上地幔间断面埋深   总被引:1,自引:0,他引:1  
在对台站下方的径向接收函数进行分析和对比的基础上,通过基于动校正的接收函数叠加方法,利用云南数字地震台网记录的保山、畹町、沧源和腾冲4个台站的三分量宽频数据,计算出了各台站下方的SV分量接收函数.结果表明,在保山、畹町和沧源台下方清楚地显示出了深度700 km处的间断面,较全球平均660 km要深.另外,在深度290~500 km之间可能还存在多个间断面;腾冲台下方700 km处的间断面不太清楚,而且上地幔间断面仅为210 km深,较其它三个台要浅.  相似文献   
63.
以菹草(Potamogeton crispus L.)无菌苗为实验材料,研究其在不同浓度汞(Hg2+)的胁迫下,光合色素含量、叶绿体自发荧光强度、ATP酶活性及相关矿质营养元素(Ca、Mg、Na、K、Fe)的含量变化以及可溶性蛋白含量的变化,以探讨Hg2+胁迫对菹草无菌苗光合系统及相关生理指标变化的影响.研究表明:随着Hg2+浓度的增加,各种光合色素的含量均呈现下降的趋势,叶绿体自发荧光强度逐渐减弱;Na/K逐渐增大,Na+ K+-ATP酶活性逐渐降低,Ca2+ Mg2+-ATP酶活性呈先升后降趋势;可溶性蛋白含量先升后降.结果表明,菹草无菌苗在Hg2+胁迫下,光合及其它正常的生理过程遭到破坏,功能紊乱.  相似文献   
64.
深度视电阻率成像是航空瞬变电磁法中数据处理及分析的重要过程,能够提供具有参考价值的导体深度、垂向延伸等信息,并能准确提供每条航空瞬变电磁测量系统测线上的一维层状介质视导电率结构断面.而航空瞬变电磁法作为一种先进的地球物理勘探技术,近年来在国外多金属矿产勘查中应用效果显著.本文简要介绍了视电阻率的分析处理方法,以几组不同导体的MAXWELL板状模型为例,计算一维视电阻率深度,得到直观的视电阻率深度成像图.此项技术首次在黄土坡矿床开展测量试验的处理中,获得良好的效果,加快了航空瞬变电磁法的处理工作进程.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号