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直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜中的晶体类型与特征 总被引：1，自引：0，他引：1
采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备，以甲烷和氢气为气源，在YG6硬质合金基体上制备出主显晶面为（100）、（111）以及纳米晶粒的金刚石薄膜涂层。SEM观测其晶体类型主要为立方体、八面体、立方八面体，其中以立方八面体为主。随着碳源气体浓度的增加，金刚石晶体的形态会呈现从八面体一立方八面体一立方体顺序转变的趋势；而薄膜的表面形貌呈现从主显（111）晶面-（111）与（100）晶面混杂-主显（100）晶面顺序转变的特征。此外，CVD金刚石薄膜中还存在有许多类似接触孪晶、贯穿孪晶、复合孪晶，以及球形或聚晶晶粒形态的晶体，并且多数孪晶属于类似（111）复合孪晶结构。 相似文献
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Sn-Ni化学镀硅酸钙镁矿物晶须的制备与表征 总被引：2，自引：0，他引：2
以硅酸钙镁晶须为原料,采用化学镀方法制备一种镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须,并用SEM,XRD,EDS和FT-IR对镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须进行表征。结果表明:镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须是一种针状结构的硅酸盐晶须材料,除有部分聚集增粗外,其形貌几乎没有变化;镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须的主要化学组成为:w(O)48.24%,w(Si)10.78%,w(Mg)5.44%,w(Ca)2.26%,w(Sn)22.45%,w(Ni)2.19%,w(Na)4.38%,w(P)2.46%和w(S)1.80%;镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须在1100cm-1～850cm-1强吸收区的振动频率的增加值与在750cm-1～600cm-1弱吸收区的振动频率的降低值均为4.98cm-1;镀Sn-Ni硅酸钙镁晶须的主体结构和化学键没有发生根本上改变,Sn-Ni化学镀在本质上是一种物理包覆过程。该研究为提高矿产资源的综合开发和利用水平提供了一种新的思路和方法。 相似文献
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