基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作     

袁贺  孙长征  徐建明  武庆  熊兵  罗毅 《海洋学报》2010,32(10):7239-7244

针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiN_x折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO₂/SiN_x材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO₂/SiN_x抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10^-4的反射率  相似文献