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原子层沉积(ALD) 是下一代超大规模集成电路的首选工艺, 但是Cu籽晶层在阻挡层上的团聚限制了ALD工艺在半导体工业中的应用.目前对Cu在阻挡层TaN表面的团聚机理和行为还缺乏足够的理论认识, 为此利用第一性原理密度泛函理论(DFT) 对不同覆盖度下Cu原子在TaN (111) 表面的吸附能和电荷转移进行了研究, 结果显示, Cu在TaN (111) 表面的吸附强度随着Cu覆盖度的增加而减弱.利用从头算分子动力学模拟了500K温度下Cu单分子层在TaN (111) 表面的吸附动力学行为, 结果表明, 在这一典型的ALD温度下, Cu层在TaN (111) 表面发生团聚, 与实验中的观察结果相符. 相似文献
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“界面质量守恒方程和一些生长层的自组织模型”一文建立了一个二组分结晶系统普适形式的动力学偏微分方程组，本文主要讨论这一偏微分方程组的稳定性，鉴于该稳定性没有现存的判别方法，构造了一个与其相关的常微分方程组，并证明了可以通过分析此常微分方程组的稳定性来判别原偏微分方程互助珠性。 相似文献
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对二组分非理想系统的结晶动力学模型中参数的物理化学意义的分析研究表明，岩石矿物中一大类振荡分带构造起因于低共结系统的自组织过程，这些分带构造包括各种球状岩，岩浆岩韵律体层理，云母环带，大多数条纹长石，玛瑙环带，粘土矿物和稀土矿物中结构单元层的混层等等。 相似文献
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