样品温度对CF⁺₃ 与Si表面相互作用影响的分子动力学模拟     

宁建平  吕晓丹  赵成利  秦尤敏  贺平逆  A.Bogaerts  苟富君 《海洋学报》2010,32(10):7225-7231

利用分子动力学模拟方法研究了不同温度下CF_x层对CF⁺₃刻蚀Si表面过程的影响.由模拟数据可知,温度对C和F的沉积有显著的影响;通过提高样品的温度,物理刻蚀得到了加强,而化学刻蚀被减弱.同时,随着温度的升高,Si的刻蚀率相应增加.刻蚀产物中的SiF,SiF₂的量随温度的增加而增加,SiF₃的量与基体温度没有直接的关系.Si刻蚀率的增加主要是通过提高SiF,SiF_{2相似文献}