相变存储材料Ge₁Sb₂Te₄和Ge₂Sb₂Te₅薄膜的结构和电学特性研究          下载免费PDF全文

廖远宝  徐岭  杨菲  刘文强  刘东  徐骏  马忠元  陈坤基 《海洋学报》2010,32(9):6563-6568

采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge₁Sb₂Te₄和Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge₁Sb₂Te₄薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、  相似文献